Rozwój w scalonych i urządzeniami pamięci masowej, używany w komputerach dokonały w tempie wykładniczy: obecnie zajmuje 2 lat dla każdego kolejnych połowę rozmiar składnika. Informacje składowania ma tendencję podobną w miniaturyzacja wielkości bitach materiału podłożu magnetycznym, używane w dyski twarde. Jednak tych technologii mają podstawowe ograniczenia, poniżej których urządzenia nie będzie działać w sposób przewidywalny. Na przykład tlenek warstwy używane w uzupełniające metal oxide półprzewodnikowych (CMOS) stają się tak cienka, prowadzenia energii elektrycznej w sposób kwantowej mechaniczne przez elektron tunelowania. W 1998 roku był szacuje, że technologie magnetycznych i mikroelektronika osiągnąłby ich ostatecznym limitów w ciągu lat 10–30. Prognozy dla bardzo dużą skalę integracji (VLSI) przewidywania, że jeden żeton pomieści 90 miliona tranzystorów o wymiarach funkcja 70 nanometers i szybkość zegara 900 MHz do roku 2010. Obecnie, wiele wymiarów krytycznych w półprzewodnikowych, jakie urządzenia znajdują się w zakresie 100 nm, z niektóre warstwy izolacyjne jest dziesiątki nanometers grubości.